1) 원리 및 기능
Thermal energy또는 plasma를 이용하여 두 가지 이상의 precursor를 순차적으로 기판 위에 도포/반응하여 원자층으로 박막을 형성함.

2) 기기활용
- Metal oxide 증착 (현재 Al2O3만 증착 가능)
- Conformal 하게 필름을 도포하고자 할 때 용이
- 전자소자에barrier layer를 도포하고자 할 때 용이

3) 사양
- Substrate Size :6” Standard (Wafer)
- Thermal ALD Process (Plasma Process Available)
- Gap Adjustable between Showerhead and Substrate
- Gas Delivery System : Bubbler, LDS etc.
- Max Temperature : 500 ℃ (@ Wafer)
- No. of Precursor Canisters : Up to 4 Sets (Standard)
- Pressure Control : Automatic Control by Throttle Valve
- Process Gauge : CDG Gauge (10 Torr)
- Process Pump : Dry Pump (Rotary Pump Available)
- Pumping Line Hot Trap to Reduce Particle

4) 장비회사 홈페이지
http://www.cn-1.co.kr/index.php

▒ 관련자료 ▒